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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > NSS35200MR6T1G
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NSS35200MR6T1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NSS35200MR6T1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 35V 2A TSOP-6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NSS35200MR6T1G.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    35V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    310mV @ 20mA, 2A
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-TSOP
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    625mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SOT-23-6
  • Altri nomi
    NSS35200MR6T1GOSCT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    2 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    100MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 1.5A, 1.5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    2A
  • Numero di parte base
    NSS35200

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS NPN 30V 2A TSOP-6

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Descrizione: TRANS NPN 20V 6A 1206A CHIPFET

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