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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > NSS40501UW3T2G

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Immagine NSS40501UW3T2G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSS40501UW3T2G

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Specifiche

Modello di prodotti

NSS40501UW3T2G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN 40V 5A 3-WDFN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NSS40501UW3T2G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

40V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

150mV @ 400mA, 4A
Tipo transistor

NPN
Contenitore dispositivo fornitore

3-WDFN (2x2)
Serie

-
Potenza - Max

875mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

3-WDFN Exposed Pad
Altri nomi

NSS40501UW3T2GOSTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

7 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

150MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 5A 150MHz 875mW Surface Mount 3-WDFN (2x2)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2A, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)

100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

5A
Numero di parte base

NSS40501

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