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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici > NSS60100DMTTBG

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Immagine NSS60100DMTTBG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSS60100DMTTBG

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Specifiche

Modello di prodotti

NSS60100DMTTBG
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS 2PNP 60V 1A
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NSS60100DMTTBG.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

60V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

300mV @ 100mA, 1A
Tipo transistor

2 PNP (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore

6-WDFN (2x2)
Serie

-
Potenza - Max

2.27W
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

6-WDFN Exposed Pad
Altri nomi

NSS60100DMTTBGOSDKR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

5 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

155MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 1A 155MHz 2.27W Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)

100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

1A

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