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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici > NSVBT2222ADW1T1G

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Immagine NSVBT2222ADW1T1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVBT2222ADW1T1G

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Specifiche

Modello di prodotti

NSVBT2222ADW1T1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NSVBT2222ADW1T1G.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

40V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA
Tipo transistor

2 NPN (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

-
Potenza - Max

150mW
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi

NSVBT2222ADW1T1GOSDKR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

40 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

300MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 600mA 300MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)

10nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

600mA

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