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Immagine NTD18N06L.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD18N06L

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Specifiche

Modello di prodotti

NTD18N06L
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

NTD18N06L.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

65 mOhm @ 9A, 5V
Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 55W (Tj)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

675pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Ta)

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