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Immagine NTD14N03RT4G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD14N03RT4G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTD14N03RT4G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTD14N03RT4G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

95 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

NTD14N03RT4GOS
NTD14N03RT4GOS-ND
NTD14N03RT4GOSTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

115pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

25V
Descrizione dettagliata

N-Channel 25V 2.5A (Ta) 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

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