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6111257Immagine NTD25P03L1.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD25P03L1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NTD25P03L1
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 25A IPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    NTD25P03L1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    I-PAK
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    80 mOhm @ 25A, 5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    75W (Tj)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Altri nomi
    NTD25P03L1OS
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1260pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 25A (Ta) 75W (Tj) Through Hole I-PAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    25A (Ta)

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