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Immagine NTD25P03LG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD25P03LG

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Specifiche

Modello di prodotti

NTD25P03LG
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTD25P03LG.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

80 mOhm @ 25A, 5V
Dissipazione di potenza (max)

75W (Tj)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

NTD25P03LG-ND
NTD25P03LGOS
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1260pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

P-Channel 30V 25A (Ta) 75W (Tj) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Ta)

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