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Immagine NTD4809NAT4G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD4809NAT4G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTD4809NAT4G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTD4809NAT4G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

9 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.3W (Ta), 52W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1456pF @ 12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 11.5V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

9.6A (Ta), 58A (Tc)

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