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Immagine NTD4863NAT4G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD4863NAT4G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTD4863NAT4G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 25V 9.2A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTD4863NAT4G.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 250µA
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

9.3 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

990pF @ 12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

13.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione drain-source (Vdss)

25V
Descrizione dettagliata

N-Channel 25V 9.2A (Ta), 49A (Tc) 1.27W (Ta), 36.6W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

9.2A (Ta), 49A (Tc)

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