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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NTD4979N-35G

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Immagine NTD4979N-35G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD4979N-35G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTD4979N-35G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTD4979N-35G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

I-PAK
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

9 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

4 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

837pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

16.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 9.4A (Ta), 41A (Tc) 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

9.4A (Ta), 41A (Tc)

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