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4362935Immagine NTHS2101PT1.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTHS2101PT1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NTHS2101PT1
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    NTHS2101PT1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ChipFET™
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    25 mOhm @ 5.4A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.3W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SMD, Flat Lead
  • Altri nomi
    NTHS2101PT1OS
  • temperatura di esercizio
    -
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2400pF @ 6.4V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    8V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 8V 5.4A (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5.4A (Tj)

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