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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NTJS4405NT4

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Immagine NTJS4405NT4.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTJS4405NT4

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Specifiche

Modello di prodotti

NTJS4405NT4
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

NTJS4405NT4.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

350 mOhm @ 600mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

630mW (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

25V
Descrizione dettagliata

N-Channel 25V 1A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

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