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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > NTLTD7900ZR2G

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Immagine NTLTD7900ZR2G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLTD7900ZR2G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTLTD7900ZR2G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTLTD7900ZR2G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

Micro8™
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

26 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Potenza - Max

1.5W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-VDFN Exposed Pad
Altri nomi

NTLTD7900ZR2GOS
NTLTD7900ZR2GOS-ND
NTLTD7900ZR2GOSTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6A 1.5W Surface Mount Micro8™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

6A
Numero di parte base

NTLTD7900Z

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