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3695703Immagine NTLUD3A260PZTBG.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLUD3A260PZTBG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NTLUD3A260PZTBG
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NTLUD3A260PZTBG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-UDFN (1.6x1.6)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    200 mOhm @ 2A, 4.5V
  • Potenza - Max
    500mW
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    6-UFDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    NTLUD3A260PZTBGOSDKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    4 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    300pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    4.2nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.3A 500mW Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.3A

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