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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NTLUS3A18PZCTBG

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Immagine NTLUS3A18PZCTBG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLUS3A18PZCTBG

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Specifiche

Modello di prodotti

NTLUS3A18PZCTBG
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

6-UDFN (2x2)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

18 mOhm @ 7A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

-
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-UDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio

-
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2240pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

P-Channel 20V 5.1A (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

5.1A (Ta)

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