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NTMC1300R2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NTMC1300R2
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    NTMC1300R2.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.2V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOIC
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    90 mOhm @ 3A, 10V
  • Potenza - Max
    2W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    NTMC1300R2OS
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    300pF @ 20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    5nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.2A, 1.8A 2W Surface Mount 8-SOIC
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.2A, 1.8A

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