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Immagine NTMFD4C87NT3G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFD4C87NT3G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTMFD4C87NT3G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTMFD4C87NT3G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

8-DFN (5x6)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

5.4 mOhm @ 30A, 10V
Potenza - Max

1.1W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1252pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

22.2nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.7A, 14.9A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

11.7A, 14.9A

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