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NTMFS4854NST1G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTMFS4854NST1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTMFS4854NST1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SO-8FL
Serie

SENSEFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

2.5 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

900mW (Ta), 86.2W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4830pF @ 12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 11.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

3.2V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

25V
Descrizione dettagliata

N-Channel 25V 15.2A (Ta), 149A (Tc) 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Surface Mount SO-8FL
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

15.2A (Ta), 149A (Tc)

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