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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NTMFS4936NT3G

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Immagine NTMFS4936NT3G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFS4936NT3G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTMFS4936NT3G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 11.6A SO8FL
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTMFS4936NT3G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

3.8 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

920mW (Ta), 43W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN, 5 Leads
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3044pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 11.6A (Ta), 79A (Tc) 920mW (Ta), 43W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

11.6A (Ta), 79A (Tc)

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