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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NTMFS4H02NT1G

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Immagine NTMFS4H02NT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFS4H02NT1G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTMFS4H02NT1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTMFS4H02NT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

1.4 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

3.13W (Ta), 83W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

52 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2651pF @ 12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

38.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

25V
Descrizione dettagliata

N-Channel 25V 37A (Ta), 193A (Tc) 3.13W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

37A (Ta), 193A (Tc)

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