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NTMS10P02R2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NTMS10P02R2
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    NTMS10P02R2.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOIC
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    14 mOhm @ 10A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.6W (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    NTMS10P02R2OSCT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3640pF @ 16V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 20V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    8.8A (Ta)

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