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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NTP4302

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Immagine NTP4302.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTP4302

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Specifiche

Modello di prodotti

NTP4302
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 74A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

NTP4302.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220AB
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

9.3 mOhm @ 37A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

80W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

NTP4302OS
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 24V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 74A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

74A (Tc)

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