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Immagine NTP45N06G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTP45N06G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTP45N06G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTP45N06G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220AB
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

26 mOhm @ 22.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.4W (Ta), 125W (Tj)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

NTP45N06GOS
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1725pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 45A (Ta) 2.4W (Ta), 125W (Tj) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

45A (Ta)

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