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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NTR1P02LT3G

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Immagine NTR1P02LT3G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTR1P02LT3G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTR1P02LT3G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTR1P02LT3G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1.25V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

220 mOhm @ 750mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

400mW (Ta)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

NTR1P02LT3GOSCT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

11 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 4V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

P-Channel 20V 1.3A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

1.3A (Ta)

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