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Immagine NTR2101PT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTR2101PT1G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTR2101PT1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTR2101PT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

52 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

960mW (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

NTR2101PT1GOSTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

50 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1173pF @ 4V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

8V
Descrizione dettagliata

P-Channel 8V 960mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

-

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