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Immagine NTR4101PT1H.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTR4101PT1H

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Specifiche

Modello di prodotti

NTR4101PT1H
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTR4101PT1H.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-23-3
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

85 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

420mW (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

NTR4101PT1H-ND
NTR4101PT1HOSTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

40 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

675pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

P-Channel 20V 1.8A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A (Ta)

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