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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NVATS5A304PLZT4G
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NVATS5A304PLZT4G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NVATS5A304PLZT4G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CHANNEL 60V 120A ATPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NVATS5A304PLZT4G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.6V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ATPAK
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    6.5 mOhm @ 50A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    108W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    45 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    13000pF @ 20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    250nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 60V 120A (Ta) 108W (Tc) Surface Mount ATPAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    120A (Ta)

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