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6747546Immagine NVD4809NHT4G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVD4809NHT4G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NVD4809NHT4G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NVD4809NHT4G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DPAK
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    9 mOhm @ 30A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.3W (Ta), 52W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2155pF @ 12V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 11.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 11.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 9A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    9A (Ta), 58A (Tc)

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