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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NVD5867NLT4G-TB01

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NVD5867NLT4G-TB01

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Specifiche

Modello di prodotti

NVD5867NLT4G-TB01
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 60V 22A DPAK DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NVD5867NLT4G-TB01.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK-3
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (max) a Id, Vgs

39 mOhm @ 11A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

3.3W (Ta), 43W (Tc)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

675pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 6A (Ta), 22A (Tc) 3.3W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount DPAK-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta), 22A (Tc)

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