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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NVD5C460NLT4G

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Immagine NVD5C460NLT4G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVD5C460NLT4G

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Specifiche

Modello di prodotti

NVD5C460NLT4G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

T6 40V DPAK EXPANSION AND
Stato Lead senza piombo / RoHS
Specifiche

NVD5C460NLT4G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.2V @ 60µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (max) a Id, Vgs

4.6 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 47W (Tc)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Produttore tempi di consegna standard

17 Weeks
Stato senza piombo

Lead free
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

40V
Descrizione dettagliata

N-Channel 40V 18A (Ta), 73A (Tc) 3W (Ta), 47W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Ta), 73A (Tc)

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