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1911418Immagine NVE4153NT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVE4153NT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NVE4153NT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 0.915A SC89-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NVE4153NT1G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±6V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-89
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    230 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    300mW (Tj)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-89, SOT-490
  • Altri nomi
    NVE4153NT1GOSTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    110pF @ 16V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    1.82nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 915mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SC-89
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    915mA (Ta)

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