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5134671Immagine NVF2955PT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVF2955PT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NVF2955PT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NVF2955PT1G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-223
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    185 mOhm @ 2.4A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-261-4, TO-261AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    492pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    14.3nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 60V 1.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.7A (Ta)

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