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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FK8V03030L
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1229668Immagine FK8V03030L.Panasonic

FK8V03030L

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FK8V03030L
  • Costruttore / Marca
    Panasonic
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N CH 33V 12A WMINI8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1.73mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    WMini8-F1
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    7 mOhm @ 6A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SMD, Flat Lead
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    11 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1100pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    10.2nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    33V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 33V 12A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount WMini8-F1
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

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Descrizione: MOSFET N CH 33V 10A WMINI8-F1

Produttori: Panasonic
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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descrizione: MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP-F

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 3A SAWN ON FOIL

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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FK8V03050L

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Descrizione: MOSFET N CH 33V 8A WMINI8-F1

Produttori: Panasonic
In magazzino
RFQ
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