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NVGS5120PT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NVGS5120PT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NVGS5120PT1G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-TSOP
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    111 mOhm @ 2.9A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    600mW (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SOT-23-6
  • Altri nomi
    NVGS5120PT1GOSCT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    35 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    942pF @ 30V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    18.1nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 60V 1.8A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Ta)

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