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2433217Immagine NVS4001NT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVS4001NT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NVS4001NT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 0.27A SC70
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NVS4001NT1G.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-70-3 (SOT323)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 10mA, 4V
  • Dissipazione di potenza (max)
    330mW (Ta)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    SC-70, SOT-323
  • Altri nomi
    NVS4001NT1GOSDKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    4 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    33pF @ 5V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    1.3nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 270mA (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    270mA (Ta)

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