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6331242Immagine NVTFS4C13NWFTWG.ON Semiconductor

NVTFS4C13NWFTWG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NVTFS4C13NWFTWG
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 40A U8FL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NVTFS4C13NWFTWG.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - Prova
    770pF @ 15V
  • Tensione - Ripartizione
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • Vgs (th) (max) a Id
    9.4 mOhm @ 30A, 10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    -
  • Stato RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    14A (Ta)
  • Polarizzazione
    8-PowerWDFN
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    23 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    NVTFS4C13NWFTWG
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    15.2nC @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    2.1V @ 250µA
  • Caratteristica FET
    N-Channel
  • Descrizione espansione
    N-Channel 30V 14A (Ta) 3W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 40A U8FL
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    30V
  • rapporto di capacità
    3W (Ta), 26W (Tc)

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