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6603387Immagine RD0106T-H.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

RD0106T-H

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RD0106T-H
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 600V 1A TP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RD0106T-H.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.3V @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    600V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TP
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    50ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    150°C (Max)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 600V 1A Through Hole TP
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    10µA @ 600V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    -

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 5A TP

Produttori: ON Semiconductor
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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A TP

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA

Produttori: ON Semiconductor
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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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