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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici > SBC847BPDW1T1G

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Immagine SBC847BPDW1T1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SBC847BPDW1T1G

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Specifiche

Modello di prodotti

SBC847BPDW1T1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SBC847BPDW1T1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

45V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor

NPN, PNP
Contenitore dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

Automotive, AEC-Q101
Potenza - Max

380mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi

SBC847BPDW1T1G-ND
SBC847BPDW1T1GOSTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

40 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

100MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 45V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

15nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA
Numero di parte base

BC847BPD

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