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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > SMUN5113DW1T1G

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Immagine SMUN5113DW1T1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SMUN5113DW1T1G

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Specifiche

Modello di prodotti

SMUN5113DW1T1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SMUN5113DW1T1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

-
Resistor - Emitter Base (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

47 kOhms
Potenza - Max

187mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi

SMUN5113DW1T1G-ND
SMUN5113DW1T1GOSTR
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

40 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

-
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA
Numero di parte base

MUN51**DW1T

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