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TIS75

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TIS75
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    JFET N-CH 30V 0.35W TO92
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TIS75.pdf
  • Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id
    800mV @ 4nA
  • Tensione - Breakdown (V (BR) GSS)
    30V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Resistenza - RDS (on)
    60 Ohms
  • Potenza - Max
    350mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    18pF @ 10V (VGS)
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Descrizione dettagliata
    JFET N-Channel 30V 350mW Through Hole TO-92-3
  • Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0)
    8mA @ 15V
  • Numero di parte base
    TIS75

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