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TIS97_J35Z

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TIS97_J35Z
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 40V 0.5A TO-92-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TIS97_J35Z.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    40V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    -
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    625mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 500mA 625mW Through Hole TO-92-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    250 @ 100µA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    500mA
  • Numero di parte base
    TIS97

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