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TN3019A_J05Z

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TN3019A_J05Z
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 80V 1A TO-226
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TN3019A_J05Z.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    80V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    500mV @ 50mA, 500mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-226
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    100MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 100MHz 1W Through Hole TO-226
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    1A

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