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2599099Immagine ALD210808APCL.Advanced Linear Devices, Inc.

ALD210808APCL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    ALD210808APCL
  • Costruttore / Marca
    Advanced Linear Devices, Inc.
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    ALD210808APCL.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    20mV @ 10µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    16-PDIP
  • Serie
    EPAD®, Zero Threshold™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    -
  • Potenza - Max
    500mW
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    16-DIP (0.300", 7.62mm)
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Tipo FET
    4 N-Channel, Matched Pair
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    10.6V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 16-PDIP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    80mA

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Produttori: Advanced Linear Devices, Inc.
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Descrizione: MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

Produttori: Advanced Linear Devices, Inc.
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Descrizione: MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

Produttori: Advanced Linear Devices, Inc.
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Descrizione: MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

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