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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > AOI7S65

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Immagine AOI7S65.

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOI7S65

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Specifiche

Modello di prodotti

AOI7S65
Costruttore / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.AOI7S65.pdf
2.AOI7S65.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-251A
Serie

aMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

650 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

89W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-251-3 Stub Leads, IPak
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

434pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

650V
Descrizione dettagliata

N-Channel 650V 7A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-251A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

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