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2863709Immagine AOK22N50L.Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOK22N50L

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    AOK22N50L
  • Costruttore / Marca
    Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 500V 22A TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.AOK22N50L.pdf
    2.AOK22N50L.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    260 mOhm @ 11A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    417W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    26 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3710pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    83nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    500V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 500V 22A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    22A (Tc)

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Descrizione: IGBT 1350V 20A 340W TO247

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Descrizione: IGBT 1350V 30A 170W TO247

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Produttori: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
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Descrizione: IGBT 1200V 20A TO-247

Produttori: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 20A TO247

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Descrizione: IGBT 650V 30A TO247

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Descrizione: IGBT 1200V 30A TO-247

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