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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > AOV11S60
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4239501Immagine AOV11S60.Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOV11S60

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    AOV11S60
  • Costruttore / Marca
    Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.AOV11S60.pdf
    2.AOV11S60.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    4-DFN-EP (8x8)
  • Serie
    aMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    500 mOhm @ 3.8A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    8.3W (Ta), 156W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    4-PowerTSFN
  • Altri nomi
    785-1683-2
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    545pF @ 100V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 650mA (Ta), 8A (Tc) 8.3W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    650mA (Ta), 8A (Tc)

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Produttori: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
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