Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > NE3516S02-A
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
742Immagine NE3516S02-A.CEL (California Eastern Laboratories)

NE3516S02-A

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    NE3516S02-A
  • Costruttore / Marca
    CEL (California Eastern Laboratories)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NE3516S02-A.pdf
  • Tensione - Prova
    2V
  • Tensione - nominale
    4V
  • Tipo transistor
    N-Channel GaAs HJ-FET
  • Contenitore dispositivo fornitore
    S02
  • Serie
    -
  • Alimentazione - uscita
    165mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    4-SMD, Flat Leads
  • Figura di rumore
    0.35dB
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    14dB
  • Frequenza
    12GHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02
  • Valutazione attuale
    60mA
  • Corrente - Test
    10mA

Antropico riceve un altro investimento da 4 miliardi di dol...

23/11/2024

Semi: aumento delle vendite di IC del 12% nel terzo tri...

22/11/2024

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "NE3516S02-A".
NE3513M04-A

NE3513M04-A

Descrizione: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Produttori: CEL (California Eastern Laboratories)
In magazzino
RFQ
NE3512S02-A

NE3512S02-A

Descrizione: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Produttori: CEL (California Eastern Laboratories)
In magazzino
RFQ
NE3520S03-T1C-A

NE3520S03-T1C-A

Descrizione: FET RF 4V 20GHZ S03

Produttori: CEL (California Eastern Laboratories)
In magazzino
RFQ
NE3514S02-A

NE3514S02-A

Descrizione: HJ-FET NCH 10DB S02

Produttori: CEL (California Eastern Laboratories)
In magazzino
RFQ
NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

Descrizione: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Produttori: CEL (California Eastern Laboratories)
In magazzino
RFQ
NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

Descrizione: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Produttori: CEL (California Eastern Laboratories)
In magazzino
RFQ
NE3X2WH6

NE3X2WH6

Descrizione: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Produttori: Panduit
In magazzino
RFQ
NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

Descrizione: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Produttori: CEL (California Eastern Laboratories)
In magazzino
RFQ
NE3515S02-T1D-A

NE3515S02-T1D-A

Descrizione: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Produttori: CEL (California Eastern Laboratories)
In magazzino
RFQ
NE3520S03-A

NE3520S03-A

Descrizione: FET RF 4V 20GHZ S03

Produttori: CEL (California Eastern Laboratories)
In magazzino
RFQ
NE3517S03-T1C-A

NE3517S03-T1C-A

Descrizione: FET RF 4V 20GHZ S03

Produttori: CEL (California Eastern Laboratories)
In magazzino
RFQ
NE3521M04-T2-A

NE3521M04-T2-A

Descrizione: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

Produttori: CEL (California Eastern Laboratories)
In magazzino
RFQ
NE3515S02-A

NE3515S02-A

Descrizione: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Produttori: CEL (California Eastern Laboratories)
In magazzino
RFQ
NE3521M04-A

NE3521M04-A

Descrizione: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

Produttori: CEL (California Eastern Laboratories)
In magazzino
RFQ
NE3513M04-T2-A

NE3513M04-T2-A

Descrizione: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Produttori: CEL (California Eastern Laboratories)
In magazzino
RFQ
NE3X1WH6

NE3X1WH6

Descrizione: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Produttori: Panduit
In magazzino
RFQ
NE3516S02-T1C-A

NE3516S02-T1C-A

Descrizione: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Produttori: CEL (California Eastern Laboratories)
In magazzino
RFQ
NE3X3WH6

NE3X3WH6

Descrizione: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Produttori: Panduit
In magazzino
RFQ
NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

Descrizione: HJ-FET NCH 10DB S02

Produttori: CEL (California Eastern Laboratories)
In magazzino
RFQ
NE3X1WH6-A

NE3X1WH6-A

Descrizione: WIRE DUCT SLOTTED ADH SCRW WT 6'

Produttori: Panduit
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.