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4134662Immagine NE3516S02-T1C-A.CEL (California Eastern Laboratories)

NE3516S02-T1C-A

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NE3516S02-T1C-A
  • Costruttore / Marca
    CEL (California Eastern Laboratories)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NE3516S02-T1C-A.pdf
  • Tensione - Prova
    2V
  • Tensione - nominale
    4V
  • Tipo transistor
    N-Channel GaAs HJ-FET
  • Contenitore dispositivo fornitore
    S02
  • Serie
    -
  • Alimentazione - uscita
    165mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    4-SMD, Flat Leads
  • Figura di rumore
    0.35dB
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    14dB
  • Frequenza
    12GHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02
  • Valutazione attuale
    60mA
  • Corrente - Test
    10mA

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