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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2N3583
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5016079Immagine 2N3583.Central Semiconductor

2N3583

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N3583
  • Costruttore / Marca
    Central Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 175V 1A TO-66
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2N3583.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    175V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    5V @ 125mA, 1A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-66
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    35W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-213AA, TO-66-2
  • Altri nomi
    2N3583 LEAD FREE
    2N3583 PBFREE
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    10MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 175V 1A 10MHz 35W Through Hole TO-66
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    40 @ 500mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    1A

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